而我司代理的Nanobase的光電流成像系統,在顯微共聚焦拉曼的基礎上,可以方便的擴展微區光電成像功能,具有較高分辨率(光斑尺寸~2.3um),較大的掃描范圍(200um*200um),振鏡掃描的光點控制方式,可以實現同一點的拉曼/光電流/熒光/熒光壽命測量,為研究團隊提供強有力的實驗數據。
西班牙成均館綜合大學的 Si Young Lee副教授在他的研發Large Work Function Modulation of Monolayer MoS2 by Ambient Gases中安全使用這套操作系統,研發了MoS2電子元件在區別工作中環境汽體下的工作中效應,并終作成部件鈍化的創新半導,其不錯系數基本上為1,具備的電可逆轉性,或者采用光電產品流三維成像操作系統測出失去層尺寸為~200nm,比體半導窄了極多。相關的研發收獲展現在ACS NANO月刊上(ACS Nano 2016,10,6,6100-6107)
德國IMDEA-nanocientia的Andres Castellanos-Gomez博士后實驗工作組采用這樣的微電子子流顯像整體,實驗了在零偏壓下應用于MoS2二維的材料同質p-n結功率元電子元器件封裝中微電子子流的生長狀態。結果反映出,太陽光照曬下MoS2同質p-n結中微電子子流的行成其主要來歷于p-n結區。具體化衡量,添加的類型不一樣的MoS2薄劇中可以失配行成內建磁場,當光福射到2片MoS2薄片的重復城市(結區)時,光生載流子先內建磁場的效用下破乳而使行成微電子子流。而當光仍然福射在單一MoS2薄片上時,光生載流子會非常快的分手后復合,導致無微電子子流行成。特備是,作家憑借微電子子流顯像察覺高效結區范圍是一直量測取到的納米級薄片重復范圍的1/2控制時間,因功率元電子元器件封裝微電子子變換吸收率預期被低估打了個倍控制時間。憑借微電子子流顯像的效正,功率元電子元器件封裝的預期微電子子變換吸收率達標1%。涉及到實驗科研成果展現在Small Methods雜質上(DOI:10.1002/smtd.201700119)上。
光電科技公司材料流成相體統,為的研究微米光電科技公司材料子元配件封裝中光生載流子的文件傳輸、離心分離與分手后復合階段,及及進步驟優化網絡元配件封裝結構設計、提高自己元配件封裝光電科技公司材料準換錯誤率給予了更大的輔助。
的產品詳細介紹:
1.XperRam C series
,可同時實現穩態熒光成像功能
*的單振鏡掃描技術,具有優異的掃描精度和重復性
激光掃描分辨率<0.02um,重復性小于0.1um
體相全息光柵
透過率>90%,比反射式光柵告30%,信號傳輸效率更高
掃描速度快,掃描范圍大,200um*200um規模高速度成相
2.XperRam S series
的分辨率,可同時實現穩態熒光成像功能
光譜儀焦長200mm
像素尺寸16um/pixel
極限分辨率FWHM 2.5cm-1
可擴展光電流成像/TCSPC熒光壽命成像/電感耦合等離子體發射光譜模塊
電化學等原位實驗定制化服務,促進光光纖線接口方式
3.熒光壽命成像模塊
測量范圍100ps-10us
時間分辨率<50ps
探測效率高達49%
死時間<77ns
激發光波長 266nm-1990nm
脈寬6ns,相同頻繁31.15KHZ-80MHZ
4.光電流成像模塊
探針臺位移精度1um(X/Y),10um(Z)
探針臺移動范圍 13mm(X/Y).20mm(Z)
探針溢泄電流 10fA
基準配選源表 Keithley 2400, 其它源表可做兼容
5.電感耦合等離子體發射光譜模塊
6.激發光及信號光偏振控制模塊
7.低波數拉曼模塊
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