產地類別 | 進口 |
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光彈調制器
意大利Hinds Instruments, Inc子公司的是游戲世界上知名的(同一也是游戲世界上*的想開)光彈解調器(photoelastic modulators)生產制造商。Hinds Instruments子公司的的PEM應該調整光柱的偏振壯態的修改,解調波特率為20~100kHz。(PEM)的用處和個“的動態的波片”,應該使快軸和慢軸之中有個時間段發生波動的彎折率差,于是調整經過光柱的偏振去時間段性的發生波動。關鍵來即,(photoelastic modulators)能否通過對線偏振光添一些的相位使輸入光在圓偏振、橢圓形偏振、線偏振等壯態之中井去發生波動,同一(PEM)還應該使光在左旋、右旋兩者壯態之中去就能。價格對比聲光控開關解調器、電光解調器、液晶顯示解調器的*小細節以及: ? 無比大通光管徑(15到30mm,的標準),同樣恢復很高的熬制器的頻率? 更大接受了角度看(銷售市場角)標準(+/- 20°)? 激發光譜包括區間大(170nm~10um,FIR~THZ)? 高拉傷閾值法? 可準確有效控制相位廷遲 英國Hinds Instruments, Inc大公司PEM電學和磁學材料頭封口在與眾不同的組件中。這個才能zui小化磁學材料機系統單元測試的長度,同一個也使人磁學材料頭與磁體或真空度兼容(當等有需求的之時)。
需要進一步了解關于原理,請超鏈接這里的
應用舉例:
在偏振方向上調試中的運用介召.pdf Hinds Instruments最主要的包含這兩個產品系列: Series I 系例選用多邊形光電技術原創,主波長網絡覆蓋太陽光的紫外線、探及光和紅外至1或2um。Series II品類選擇對稱軸又或者八角形的磁學零部件,激發光譜遮蓋因而和紅外(到中紅外)頻譜地區。特殊性的形號可以選擇于太陽光的紫外線。 Hinds Instruments品牌的光學反應薄膜頭選用其他的光學反應薄膜食材,食材的選著包括考量于檢測設備頻譜散射率的要有。表1舉出了一般是選用的食材。TABLE 1 | ||
SPECTRAL REGION | SERIES | MATERIAL |
Vacuum UV, UV | I | Lithium Fluoride |
Vacuum UV to mid-IR | I,II | Calcium Fluoride |
Vacuum UV to near-IR | I,II | Fused Silica |
Mid-visible to mid-IR | II | Zinc Selenide |
Near- to mid-IR | II | Silicon |
相面對于Series II八角形光學材料零件,Series I正方形的光學反應pcb板在相等層厚的實際情況下,相位推遲了量很少。在紅外波長,他是一位顯著優點,有時候在紅外光譜線波長,通常是真空系統紅外光譜線,這則轉變為從而一位很大的顯著優點。
八角形(Series II)光學玻璃元器件在給定的層厚下非常的很好率,為此在紅外股票波段有越多的優勢可言。應用Series II使用低推遲了量(比如:深紫外光)可能會引發些話題。
可選裝界面(外形尺寸和價因為為潛在客戶應該而修改,祥情訊問昊量光學的建筑機電工程師)
- ? 增透膜,Model ARC。防反射層膜適用于一點電子光學解調器上,窄上行速率和寬上行速率渡膜都可求。
- ? 請昊量光學觀于頻譜條件和散射率讓
- ? 無抵觸選項卡,Model NIO。這每一項用作偏轉點光方法,那么消滅了熬制器抵觸
- ? 特色頻帶寬度,Model SFO。標準的的熬制頭和特色頻帶寬度
- ? 特殊性光電技術頭/電學頭電線電纜,Model SLHH
- ? 個性化調試頭圖片附件,Model SHE。光電技術頭能夠 給出投資者可以給出個性化外形
- ? 真空箱度的操作。PEM用于于真空箱度氛圍,商品詳情敬請確認Hinds
- 電電磁場兼容首選項,Model MFC。磁學頭不包括一些電磁鐵用料,用以強電電磁場中
基本指標
Model | Optical Material | Nominal Frequency | Retardation Range | Useful Aperture1 | |
Quarter Wave | Half Wave | ||||
I/FS50 | Fused Silica | 50 kHz | 170nm - 2μm | 170nm - 1μm | 16mm |
I/FS20 | Fused Silica | 20 KHz | 170nm - 2μm | 170nm - 1μm | 22mm |
I/CF50 | Calcium Fluoride | 50 kHz | 130nm - 2μm | 130nm - 1μm | 16mm |
II/FS20A | Fused Silica | 20 kHz | 170nm - 2μm | 170nm - 1μm | 56mm |
II/FS20B | Fused Silica | 20 kHz | 1.6μm - 2.6μm | 800nm - 2.5μm | 56mm |
II/FS42A | Fused Silica | 42 kHz | 170nm - 2μm | 170nm - 1μm | 27mm |
II/FS42B | Fused Silica | 42 kHz | 1.6μm - 2.6μm | 800nm - 2.5μm | 27mm |
II/FS47A | Fused Silica | 47 kHz | 170nm - 2μm | 170nm - 1μm | 24mm |
II/FS47B | Fused Silica | 47 kHz | 1.6μm - 2.6μm | 800nm - 2.5μm | 24mm |
II/FS84 | Fused Silica | 84 kHz | 800nm - 2.5μm | 400nm - 2.5μm | 13mm |
II/IS42B | Fused Silica | 42 kHz | 1.6μm - 3.5μm | 800nm - 2.5μm | 27mm |
II/IS84 | Fused Silica | 84 kHz | 800nm - 3.5μm | 400nm - 1.8μm | 27mm |
II/CF57 | Calcium Fluoride | 57 kHz | 2μm - 8.5μm | 1μm - 5.5μm | 23mm |
II/ZS37 | Zinc Selenide | 37 kHz | 2μm - 18μm | 1μm - 9μm | 19mm |
II/ZS50 | Zinc Selenide | 50 kHz | 2μm - 18μm | 1μm - 10μm | 14mm |
II/SI40 | Silicon | 40 kHz | FIR - THz | FIR - THz | 36mm |
II/SI50 | Silicon | 50 KHz | FIR - THz | FIR - THz | 29mm |
英國Hinds Instruments, Inc單位相關資料請關聯性://www.auniontech。。com/n/document/v_Paper_of_Hinds.html
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