<磁光克尔(MOKE)效应测量系统-上海昊量光电设备有限公司
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磁光克爾(MOKE)效應測量系統

簡述講述:磁光克爾(MOKE)效應測量系統是對極向克爾效應和縱向克爾效應克爾偏轉角精確測量的設備,使得該設備成為研究磁性薄膜磁特性的Z理想的測量工具。廣泛的應用于磁性納米技術、磁性薄膜等磁學領域。

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磁光克爾(MOKE)效應測量系統

當一株線偏振光照度被吸引力物料全反射強度后,全反射強度光的偏振面比于入射光的偏振面全是個小的立場偏轉(克爾三維拖動角),這類不良現象被被稱作磁光克爾作用。結果這類作用被用以食材磁性能的分析。磁光克爾作用預估機系統的就設計一套透徹預估克爾三維拖動角的生產主設備。磁光克爾作用預估機系統的是對極向克爾作用和橫面克爾作用克爾偏圓樓梯透徹預估的生產主設備,這讓該裝備已成為研究方案磁體聚酰亞胺膜磁形態的的精確測量專用工具。比較廣泛的選用于磁體nm技術設備、磁體聚酰亞胺膜等磁學領域行業。

 

磁光克爾相互作用校正設計以脈沖光作的光源,由合格品磁光克爾效用的吸引力警報基本產于于黑斑照射到的區城,所以說磁光克爾效用測試軟件含有非常好的局域性,行建立下μm區城內建材磁性能的探析。還有以偏振智能機械束作“電極”,所以說對合格品不要會導致什么破損,建立對合格品的無損格式測試,這針對于必須要投多次測試的合格品實屬常出利的。

 

磁光克爾相互作用量測系統的存在*的靈活度,對克爾翻轉角的測探的精密度可以達到到±0.001度。這一定使該系統在永磁鐵pe膜磁性能特點的的研究中具備為重要的實力。巧用鐵芯電磁爐特色產品生在加上電磁場,可能能提供高至25KOe的另外電磁場。

磁光克爾(MOKE)效應測量系統

磁光克爾效應測量系統、磁性測量系統、MOKE system、微米區域克爾磁光效應測量系統、磁滯回線測量裝置

 

鄭州昊量光電科技主設備受限新公司的磁光克爾估測系統的其主要可為以內幾大類:

 

①  極向量測磁光克爾相互作用量測機(MOKE磁滯回線量測系統的)

代表英文食品是BH-810系列的。BH-810CPC25WF12磁光克爾因素(MOKE)自動測量方法生產設備是這其中的這款,主耍是對125英寸的斜面磁紀要媒質磁特征的自動測量方法。就可以準確的測探闡述所有測探點的磁滯回線,該食品運用408nm的混合物激光器器,光點孔徑為1mm,再加上磁感線可將高達25KOe。

  

<strong><strong><strong><strong>磁光克爾(MOKE)效應測量系統</strong></strong></strong></strong>

  

<strong><strong><strong><strong>磁光克爾(MOKE)效應測量系統</strong></strong></strong></strong>

  

②  向檢測的磁光克爾效果檢測的專用設備(MOKE磁滯回線檢測的機系統)

指代產品的BH-618系類。BH-618SK-CA12有的是款定時測量晶圓磁特征和各向異形的磁光克爾測量程序。需要對12寸的晶圓使用幾厘米400個的不同點的磁滯回線的測量,另外偵測然而以成相的結構表現。

  

  

③   微領域磁光克爾負效應側量模式(m-kerr system)(極向+橫面,MOKE磁滯回線側量設備

是指物品為BH-920系類。與前這兩種產品的不同之處, BH-920系列作品獲得更小的機光黑斑,不錯對μm空間內的磁因素做出論述。BH-P920-NH是可通過極向的微地域磁光克爾滯后效應預估裝置,該設施設備具*的迅敏度高達到0.001°。與BH-P920-NH比起來BH-PI920確實具一致的探測器靈巧度但會頗具開始極向和雙向量測。

 

  

 

磁光克爾(MOKE)效應測量系統

  

u  一般顯著特點

  • 高使用性能
  • 成本預算低
  • 高快速度(0.001°)
  • 高安全穩確定
  • 高自加磁體(25KOe
  

u  大部分應該用

剩磁微米技術設備、剩磁薄膜和珍珠棉,剩磁相關材料等磁學業務領域

  

u  測定樓盤

磁滯回線

X軸:另外加上磁感線承載力 H

Y軸:克爾自動旋轉角  qk

能夠磁滯回線可擁有的數據

矯頑力 Hc

各向喜歡的人場 Hk

內稟矯頑力 Hn

飽合磁體硬度 Hs

超過磁化程度 qr

呈現飽和狀態磁化密度 qs

  

u  服務主要的參數設置:

食品尺寸

因素

BH-PI920

BH-P920-NH

BH-PI920

BH-810CPC25WF12

BH-618SK-CA12

食品顯著特點

微地域測試機系統可要求豎向/極向測試

極向微區域性克爾預估設備,兼具高遲鈍度

微區域環境精確預估軟件系統可滿足了橫向/極向精確預估,還具有較高的快速度

極向磁光克爾效果衡量,對PMR溥膜晶圓的磁性質測定

水平垂直磁光克爾估測系統,可確定單點磁滯回線的估測

離子束面光源

半導體設備激光束器(405nm)

  

光電器件激光手術器(408nm)

半導體材料離子束器(405nm)

光點直經

垂直測量方法

約 5mm [1/e2]

1-2mm

2-3mm

1mm

1´2mm

極向自動測量

約 2mm [1/e2]

探測器流暢度

± 0.005°

±0.001°

±0.001°

± 0.005°

± 0.005°

偵測范圍之內

± 1°

    

加上電磁場承載力

極向磁體

  >±10kOe

>±10kOe

極向電磁場

>±1.5T

>±25kOe

>±0.2T

面內交變電場

>±10kOe

面內磁體

>±1T

可測樣板寬度

5´5´1tmm~10´10´1tmm

 

5´5~10´10mm

t:0.5~1mm

12inch wafer

12inch wafer

   
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