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Senis 3軸霍爾磁傳感器芯片 SENM3Dx
昊量光電全新推出的Senis 3軸霍爾磁傳感器芯片 SENM3Dx是一種 cmos 磁場傳感器,可在同一時間和同一地點采集所有四個磁場強度食用量(Bx、By 和 Bz)。該傳感器集成了三組相互正交的霍爾效應元件(一組水平元件和兩組垂直元件),每組元件都配有偏置電路和放大器。集成霍爾元件非常緊湊,占地面積小,約為 100 x 100 μm2。因此,傳感器的空間分辨率尤其高。
所采用的 CMOS 技術實現了垂直和水平霍爾元件的高精度制造,從而使三個測量軸具有較高的角度精度(正交性)。在霍爾元件偏壓中應用旋轉電流技術,可顯著抑制偏移、低頻噪聲和平面霍爾效應。 傳感器提供從直流變壓器到 300kHz 的高模擬帶寬。內嵌式的熱度感測器器可以測量場敏感區域的當前芯片溫度。
Senis 3 軸霍爾磁感測器器心片 SENM3Dx技術參數型號規格:
可以選擇擇自主的靈活度軸 1D、2D 或 3D
高磁判斷率:1uT
高發展空間辨別好壞率:100um x 100um for 3軸
五種可以選擇條件:從 40mT 到 4T
中頻上行帶寬,DC 至 300kHz
原帶拿高辯別率室溫感知器
靈巧度、功能紊亂、背景噪聲和漂移的片內較正
片上性能參數化
養成、PWM 和 SPI 數值傷害
可程序編程閥值比效器
Senis 3 軸霍爾磁感知器電源芯片 SENM3Dx廣泛應用行業領域:
3D位置感應器器(波形和方面)
1D、2D 和 3D 比較接近于調節器器
磁場計量測傳感器
多探測器陣列
具備有可選裝分度值的電流大小感知器
選件
SENIS 3軸霍爾磁調節器器電源芯片評價指標套
SENIS 3軸霍爾磁調節器器電源集成塊評詁套設置應用在評詁確實的三軸電磁波調節器器,該調節器器是 CMOS 結合元件,可在 100 x 100 x 10 µm3 的場強烈空間 (FSV) 中失量預估5個磁通圖像 Bx、By 和 Bz(圖 1)。FSV 不超電源集成塊封裝面約 0.75 mm。
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